[发明专利]沉积设备和使用沉积设备制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种沉积设备，其特征在于，包括：

反应腔室，其中形成反应空间；

衬底支撑件和喷淋头，其安置于所述反应腔室中以彼此面对；

气体源供应单元，其连接到所述喷淋头以供应气体源；

液体源供应单元，其经安装以与所述气体源供应单元分离，且连接到所述喷淋头以供应液体源；以及

反应气体供应单元，其经安装以与所述气体源供应单元和所述液体源供应单元分离，且连接到所述喷淋头以供应反应气体。

2.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述气体源供应单元包括连接到所述喷淋头的气体源供应管，且所述液体源供应单元包括连接到所述喷淋头的液体源供应管，其中所述气体源供应管安置于所述液体源供应管中。

3.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，进一步包括：

第一等离子体产生单元，其安置于所述反应腔室的上部部分和侧面部分中的至少一处；以及

第二等离子体产生单元，其连接到所述反应气体供应单元的一部分。

4.一种通过使用沉积设备制造半导体装置的方法，在所述沉积设备中经配置以供应气体源的气体源供应单元、经配置以供应液体源和掺杂剂源的液体源供应单元以及经配置以供应反应气体的反应气体供应单元经安装以彼此分离且连接到其中形成反应空间的反应腔室，

所述方法包括：

通过使用所述气体源在衬底上形成蚀刻停止层；以及

通过使所述液体源汽化、将所述经汽化液体源供应到所述反应腔室中且将所述掺杂剂源供应到所述反应腔室中而在所述蚀刻停止层上形成层间绝缘层，

其特征在于，在所述反应腔室中在原位形成所述蚀刻停止层和所述层间绝缘层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括通过使用反应气体自由基和所述经汽化液体源在所述蚀刻停止层上形成衬料。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括通过使用反应气体自由基和所述经汽化液体源或通过使用预处理过程而在所述衬底上形成衬料。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在所述反应腔室中在原位形成所述蚀刻停止层、所述衬料和所述层间绝缘层。

8.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

准备反应腔室，所述反应腔室具备气体源供应单元、液体源供应单元以及反应气体供应单元；

将衬底装载到所述反应腔室中；

通过从所述气体源供应单元供应气体源而在所述衬底上形成蚀刻停止层；

在中断所述气体源的所述供应之后，从所述液体源供应单元供应经汽化液体源，且从所述反应气体供应单元供应反应气体，同时将电场施加于所述反应气体供应单元以产生反应气体自由基；

通过将所述反应气体自由基和所述经汽化液体源引入所述反应腔室而在所述蚀刻停止层上形成衬料；以及

通过在中断所述反应气体的所述供应和所述电场的所述施加时从所述液体源供应单元供应所述经汽化液体源和经汽化掺杂剂源而在所述衬料上形成层间绝缘层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，使用连接到所述反应气体供应单元的等离子体产生单元来产生所述电场。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述层间绝缘层的所述形成之后，所述方法进一步包括通过使用从所述反应气体供应单元供应的清洁气体从所述反应腔室移除未反应气体。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述清洁气体与所述反应气体相同。