[发明专利]像素结构以及有机发光元件的像素结构有效
申请号: | 201010235480.1 | 申请日: | 2010-07-22 |
公开(公告)号: | CN101950755A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 刘俊彦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种有机发光元件的像素结构,其包括第一扫描线以及第二扫描线、约略垂直第一扫描线以及第二扫描线设置的数据线与电源信号线、约略平行第一扫描线以及第二扫描线设置的发光信号线与参考信号线、共用晶体管以及第一像素单元以及第二像素单元。共用晶体管具有共用栅极、共用源极与共用漏极,且共用栅极与第一扫描线电性连接,共用漏极与参考信号线电性连接。第一像素单元以及第二像素单元各自具有第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管、电容器以及发光元件。本发明同时涉及一种像素结构。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 以及 有机 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种有机发光元件的像素结构,其特征在于,包括:一第一扫描线以及一第二扫描线;一数据线,其垂直该第一扫描线以及该第二扫描线设置;一参考信号线;一发光信号线,其平行该第一扫描线以及该第二扫描线设置;一共用晶体管,具有一共用栅极、一共用源极与一共用漏极,该共用栅极与该第一扫描线电性连接,该共用漏极与该参考信号线电性连接;一第一像素单元以及一第二像素单元,且该第一像素单元以及该第二像素单元各自具有一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一电容器、一第三薄膜晶体管、一第四薄膜晶体管、一第五薄膜晶体管、一第六薄膜晶体管以及一发光元件,其中:该第一薄膜晶体管,具有一第一栅极、一第一源极与一第一漏极,该第一栅极与该第一扫描线电性连接,该第一漏极与该共用晶体管的该共用源极电性连接;该第二薄膜晶体管,具有一第二栅极、一第二源极与一第二漏极,该第二栅极与该发光信号线电性连接;该电容器,具有一第一电容电极与一第二电容电极,该第一电容电极与该第一薄膜晶体管的该第一源极电性连接,该第二电容电极与该第二薄膜晶体管的该第二漏极电性连接;该第三薄膜晶体管,具有一第三栅极、一第三源极与一第三漏极,该第三栅极与该第二扫描线电性连接,该第三漏极与该第一薄膜晶体管的该第一源极电性连接;该第四薄膜晶体管,具有一第四栅极、一第四源极与一第四漏极,该第四栅极与该第一薄膜晶体管的该第一源极以及该第三薄膜晶体管的该第三漏极电性连接,该第四源极与该第二薄膜晶体管的该第二源极电性连接;该第五薄膜晶体管,具有一第五栅极、一第五源极与一第五漏极,该第五栅极与该发光信号线电性连接,该第五源极与该第四薄膜晶体管的该第四漏极以及该第三薄膜晶体管的第三源极电性连接;该第六薄膜晶体管,具有一第六栅极、一第六源极与一第六漏极,该第六栅极与该第二扫描线电性连接,该第六源极与该数据线电性连接,该第六漏极与该第二薄膜晶体管的该第二源极以及该第四薄膜晶体管的该第四源极电性连接;以及该发光元件,其与该第五薄膜晶体管的漏极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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