[发明专利]一种超高频晶片的抛光方法无效
| 申请号： | 201010234293.1 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102339744A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 任剑锋 | 申请（专利权）人： | 苏州普锐晶科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超高频晶片的抛光方法，该方法主要包括以下步骤：(1)频率测定；(2)全数分类；(3)LOT构成；(4)中性洗涤剂与超声波洗净；(5)超纯水超声波洗净；(6)干燥；(7)硫酸洗净；(8)硫酸洗净后纯水洗净；(9)第一次化学抛光；(10)第二次化学抛光；(11)送至下一流程。本发明使用化学抛光可以降低晶片破损率，提高晶片的加工频率，同时减少了机器的维护，有效地提高了抛光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高频 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，该方法主要包括以下步骤：(1)频率测定，使用频率测量仪测量频率；(2)全数分类，将所有晶片的频率都进行测量，并按照从小到大的顺序排列，插在晶片架中；(3)LOT构成；(4)中性洗涤剂与超声波洗净；(5)纯水超声波洗净；(6)干燥，通过IPA脱水，然后用烘箱(150度)干燥；(7)硫酸洗净；(8)硫酸洗净后纯水洗净；(9)第一次化学抛光；(10)第二次化学抛光；(11)送至下一流程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
