[发明专利]检测通孔缺陷的方法有效
| 申请号： | 201010233233.8 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102339772A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;吴浩;龙吟;王恺;赵宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测通孔缺陷的方法，该方法包括：对具有通孔的晶片进行热处理；对所述通孔进行湿法刻蚀；采用电子束缺陷扫描仪，对晶片上的通孔进行检测以得到通孔的灰度，当通孔的灰度小于设定灰度时，所述通孔为正常通孔，当通孔的灰度大于设定灰度时，所述通孔为蚀刻不足通孔。采用本发明的方法对通孔进行检测，即使对于尺寸更小的通孔尺寸，也能清楚地确定出具有缺陷的蚀刻不足通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种检测通孔缺陷的方法，该方法包括：对具有通孔的晶片进行热处理；对所述通孔进行湿法刻蚀；采用电子束缺陷扫描仪，对晶片上的通孔进行检测以得到通孔的灰度，当通孔的灰度小于设定灰度时，所述通孔为正常通孔，当通孔的灰度大于设定灰度时，所述通孔为蚀刻不足通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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