[发明专利]高压半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010231042.8 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101916778A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 胡林辉;姜艳;刘先锋;黄海涛;徐旭 | 申请（专利权）人： | 上海新进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压半导体器件及其制造方法，所述高压半导体器件包括：基底；形成于基底中的第一阱区和第二阱区；形成于第一阱区和第二阱区中的场注入区，场注入区与第一阱区和第二阱区均交叠；形成于第一阱区中的源区；形成于第二阱区中的漏区；覆盖于基底表面的场氧化层和栅氧化层，场氧化层位于场注入区之上；设置于源区和漏区之间、形成于场氧化层和栅氧化层上的栅极。高压半导体器件中第二阱区和场注入区共同构成该高压半导体器件的漂移区。当漏端加高压时，与第一阱区交叠部分的场注入区将会耗尽，因此，改善了鸟嘴附近的电场分布，提高半导体器件的击穿电压。在不改变工艺流程和增加制造成本的前提下，最大限度的提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压半导体器件，其特征在于，包括：基底；形成于所述基底中的第一阱区和第二阱区；形成于所述第一阱区和第二阱区中的场注入区，所述场注入区与第一阱区和第二阱区均交叠；形成于所述第一阱区中的源区；形成于所述第二阱区中的漏区；覆盖于所述基底表面的场氧化层和栅氧化层，所述场氧化层位于所述场注入区之上；设置于所述源区和漏区之间、形成于所述场氧化层和栅氧化层上的栅极。
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