[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201010226031.0 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102117836A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 许宰硕;徐知延 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管用于增大沟道区域的电导率并抑制背沟道区域的漏电流，以及包括所述薄膜晶体管的显示装置。根据一个实施方式，所述薄膜晶体管包括布置在基板上的栅极；在基板上相互隔开的源极和漏极；使栅极与源极和漏极绝缘的栅极绝缘膜；和通过栅极绝缘膜与栅极绝缘的半导体层，所述半导体层包括沟道区域和背沟道区域，所述半导体层由(In2O3)x(Ga2O3)y(ZnO)z(0≤x≤5，0≤y≤5，0≤z≤5)制成，其中在所述半导体层的沟道区域中X或Z大于Y，而在所述半导体层的背沟道区域中Y大于X和Z。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：布置在基板上的栅极；在所述基板上相互隔开的源极和漏极；使所述栅极与所述源极和漏极绝缘的栅极绝缘膜；和通过所述栅极绝缘膜与所述栅极绝缘的半导体层，所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述半导体层由(In2O3)x(Ga2O3)y(ZnO)z制成，其中0≤x≤5，0≤y≤5，0≤z≤5，其中在所述半导体层的所述第一区域中X或Z大于Y，和在所述半导体层的所述第二区域中Y大于X和Z。
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