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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]钙钛矿太阳能电池模组及其制造方法-CN202180079432.4在审
发明人：柳宗秀;鲁勇珍;金珠爱;李炳雨;许宰硕 -专利权人：韩商联测股份有限公司
申请日： 2021-10-01 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10K39/18 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿太阳能电池模组及其制造方法，上述钙钛矿太阳能电池模组在基板上配置有多个钙钛矿太阳能电池单元，上述钙钛矿太阳能电池单元包括依次层叠的第一电极、第一电极上的第一电荷传输层、由钙钛矿晶体结构构成的光活性层、第二电荷传输层、层叠在第二电荷传输层上的第二电极，在钙钛矿太阳能电池模组中，各个单元中所包括的第二电极与最相邻的钙钛矿太阳能电池单元的第一电极连接而电串联，从而可以提高钙钛矿太阳能电池模组的光电转换效率。
钙钛矿太阳能电池模组及其制造方法

[发明专利]半导体制造设备的高科技控温装置-CN201710858160.3在审
发明人：金锺培;梁承珍;许宰硕;崔治源;金济民;金炯官;崔容豪 -专利权人：全球标准科技股份有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造设备的高科技控温装置，特别是涉及在半导体晶片加工工序中支承晶片并维持温度的静电夹头的高科技控温装置。将加热热介质和冷却热介质的温度和混合流量维持一定，并调节混合比率，从而可以对静电夹头的温度进行非常精密的控制。另一方面，在加热及冷却后回收热介质重新再利用，从而可以有效利用能源。
控温装置半导体制造设备静电夹头热介质加热半导体晶片加工冷却热介质混合比率混合流量支承晶片再利用精密冷却回收能源

[发明专利]薄膜晶体管-CN201010226031.0有效
发明人： 许宰硕;徐知延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管用于增大沟道区域的电导率并抑制背沟道区域的漏电流，以及包括所述薄膜晶体管的显示装置。根据一个实施方式，所述薄膜晶体管包括布置在基板上的栅极；在基板上相互隔开的源极和漏极；使栅极与源极和漏极绝缘的栅极绝缘膜；和通过栅极绝缘膜与栅极绝缘的半导体层，所述半导体层包括沟道区域和背沟道区域，所述半导体层由(In2O3)x(Ga2O3)y(ZnO)z(0≤x≤5，0≤y≤5，0≤z≤5)制成，其中在所述半导体层的沟道区域中X或Z大于Y，而在所述半导体层的背沟道区域中Y大于X和Z。
薄膜晶体管

[发明专利]用于显示设备的阵列基板及其制造方法-CN200910224603.9有效
发明人：闵淳永;许宰硕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：用于显示设备的阵列基板及其制造方法。一种用于显示设备的阵列基板包括：基板；位于所述基板上的栅极；位于所述栅极上的栅绝缘层，所述栅绝缘层具有有机-无机混合材料；位于所述栅极上方且位于所述栅绝缘层上的半导体层；位于所述半导体层上的彼此隔开的源极和漏极；位于所述源极和漏极上的钝化层，所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔；以及位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过漏接触孔连接到所述漏极。
用于显示设备阵列及其制造方法

[发明专利]液晶显示装置用薄膜晶体管-CN200710300109.7有效
发明人： 许宰硕;田雄基;金柄杰 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明披露了液晶显示装置用薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极；由具有官能团、金属氧化物、硅和氧的键结构的高介电常数绝缘体形成的栅极绝缘膜；和形成在所述栅极绝缘膜上的源极和漏极。
液晶显示装置薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN200610166797.8有效
发明人：李宝铉;许宰硕;田雄基 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其中在不使用任何光刻胶的情况下对钝化层直接进行曝光和构图工艺，从而简化了制造工艺并确保减少了制备成本。具体地说，该方法包括：在基板上形成选通线和栅极；形成半导体层，该半导体层与所述栅极绝缘并与所述栅极的一部分交叠；分别在所述半导体层的两侧上形成源极和漏极，同时形成与所述选通线交叉的数据线；使用具有感光基团X的金属醇盐和具有感光基团Y的硅醇盐的溶胶化合物，在包括所述源极和所述漏极的所述基板的整个上表面上形成钝化层；对所述钝化层进行曝光和显影，以形成暴露出所述漏极的接触孔；以及形成要通过所述接触孔与所述漏极接触的像素电极。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法以及显示装置-CN200610166796.3有效
发明人：蔡基成;许宰硕;田雄基 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了薄膜晶体管、其制造方法以及显示装置。一种基板上的TFT的制造方法包括：形成栅极；形成与栅极绝缘并且局部与栅极交叠的半导体层；在栅极和半导体层之间形成栅绝缘层，所述栅绝缘层包括溶胶凝胶混合物；以及在半导体层的两侧形成源极和漏极。
薄膜晶体管制造方法以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和显示器件-CN200610160656.5有效
发明人：蔡基成;许宰硕;田雄基 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在基板上制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：形成栅极；形成与栅极绝缘并与栅极部分交叠的半导体层；在栅极和半导体层之间依次形成第一和第二栅绝缘层，其中所述第一栅绝缘层由不同于第二栅绝缘层的材料形成并且第一和第二栅绝缘层其中至少之一包括溶胶化合物；以及在半导体层的两侧处形成源极和漏极。
薄膜晶体管及其制造方法显示器件

[发明专利]用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法-CN200610144862.7有效
发明人： 许宰硕;田雄基;蔡基成 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-11-23 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种用于液晶显示器件的阵列基板包括：基板；在该基板上的栅极；在该栅极上的栅绝缘层，该栅绝缘层包括无机材料的纳米颗粒和有机材料的有机基体，该有机基体包围该纳米颗粒；在栅极上面的该栅绝缘层上的半导体层；在该半导体层上的源极和漏极；在该源极和漏极上的钝化层；以及在该钝化层上的像素电极，该像素电极与该漏极接触。
用于液晶显示器件阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN200610079094.1无效
发明人：蔡基成;许宰硕 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板。该薄膜晶体管阵列基板包括基板；位于基板上由栅极以及与栅极相连的栅线构成的栅图案；由有机材料形成且用于覆盖所述栅图案的主栅绝缘膜；与栅极重叠使得主栅绝缘膜位于半导体图案和栅线之间的半导体图案；半导体图案上的源/漏图案。该源/漏图案包括与栅线交叉其间具有主栅绝缘膜的数据线、源极和漏极。这里源极、漏极和半导体图案限定了设置在栅线和数据线交叉部分的薄膜晶体管。该薄膜晶体管阵列基板还包括限定在漏极部分的接触孔的保护膜；通过所述接触孔与漏极接触的像素电极；以及位于栅图案和主栅绝缘膜之间与所述栅图案重叠的子栅绝缘图案，所述子栅绝缘图案包括铁电材料。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

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