[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

布置在基板上的栅极；

在所述基板上相互隔开的源极和漏极；

使所述栅极与所述源极和漏极绝缘的栅极绝缘膜；和

通过所述栅极绝缘膜与所述栅极绝缘的半导体层，所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述半导体层由(In₂O₃)_x(Ga₂O₃)_y(ZnO)_z制成，其中0≤x≤5，0≤y≤5，0≤z≤5，

其中在所述半导体层的所述第一区域中X或Z大于Y，和

在所述半导体层的所述第二区域中Y大于X和Z。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二区域分别是沟道区域和背沟道区域。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述栅极具有下栅极结构，其中所述沟道区域布置在所述半导体层中的所述源极和漏极之间，所述背沟道区域布置在所述沟道区域上方。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述栅极具有上栅极结构，其中所述背沟道区域布置在所述半导体层中的所述源极和漏极之间，所述沟道区域布置在所述背沟道区域上方。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在所述半导体层的所述第一区域中X大于Z。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在所述半导体层的所述第一区域中X等于Z。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在所述基板上布置所述栅极，

在设置有所述栅极的所述基板上布置所述栅极绝缘膜，

在所述栅极绝缘膜上布置所述源极和漏极，其中所述源极和漏极与所述栅极部分交叠，和

在所述栅极绝缘膜上布置所述半导体层，其中所述半导体层覆盖所述源极和漏极。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在所述基板上布置所述栅极，

在设置有所述栅极的所述基板上布置所述栅极绝缘膜，

在所述栅极绝缘膜上布置所述半导体层，其中所述半导体层与所述栅极交叠，和

在所述半导体层上布置所述源极和漏极，其中所述源极和漏极相互隔开并与所述栅极部分交叠。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述源极和漏极在所述基板上相互隔开，

在所述基板上布置所述半导体层，其中所述半导体层覆盖所述源极和漏极，

在设置有所述半导体层的所述基板上布置所述栅极绝缘膜，和

在所述栅极绝缘膜上布置所述栅极，其中所述栅极与所述源极和漏极部分交叠。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在所述基板上布置所述半导体层，

所述源极和漏极在所述半导体层上相互隔开，

在设置有所述源极和漏极的所述半导体层上布置所述栅极绝缘膜，和

在所述栅极绝缘膜上布置所述栅极，其中所述栅极与所述源极和漏极部分交叠。

11.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

布置在基板上的栅极；

在所述基板上相互隔开的源极和漏极；

使所述栅极与所述源极和漏极绝缘的栅极绝缘膜；

通过所述栅极绝缘膜与所述栅极绝缘的半导体层，所述半导体层包括第一区域和第二区域，

其中所述第一区域包含的ZnO和In₂O₃中的至少一种多于Ga₂O₃，和

其中所述第二区域包含的Ga₂O₃多于ZnO和In₂O₃中的至少一种。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述第一区域是沟道区域，所述第二区域是背沟道区域。