[发明专利]采用HSQ工艺制作位相型二元衍射光学元件的方法无效
| 申请号： | 201010222584.9 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102313917A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 谢常青;潘一鸣;朱效立;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用HSQ工艺制作位相型二元衍射光学元件的方法，该方法包括：A、制作二元衍射光学元件掩模版；B、在基片上涂HSQ胶，用所述掩模版对基片进行光刻，并烘干，蒸金属膜；C、采用电化学腐蚀法选择性去除基片上的金属膜；D、对基片进行烘干，得到位相型二元衍射光学元件。相对于传统的刻蚀法，本发明具有制造工艺简单，成本低，稳定性好，并能能达到更高的分辨率等特性，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 hsq 工艺 制作 位相 二元 衍射 光学 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种采用HSQ工艺制作位相型二元衍射光学元件的方法，其特征在于，该方法包括：A、制作二元衍射光学元件掩模版；B、在基片上涂HSQ胶，用所述掩模版对基片进行光刻，并烘干，蒸金属膜；C、采用电化学腐蚀法选择性去除基片上的金属膜；D、对基片进行烘干，得到位相型二元衍射光学元件。
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