[发明专利]制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体制造设备有效

专利信息
申请号: 201010221190.1 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN101964308A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 别宫史浩 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;H01L23/485
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体制造设备。通过在保护绝缘膜上方选择性地形成可固化树脂层,首先形成以后分别给定为多个外部连接端子的核的多个凸部;在凸部被固化之前,然后通过将具有平坦相对表面的成型夹具压到多个凸部的顶表面上,来在多个凸部的顶表面上分别形成平坦部;多个凸部被固化;以及通过在多个凸部、保护绝缘膜和多个电极焊盘上方选择性地形成导电膜,来形成多个外部连接端子和多个互连。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法 以及 半导体 设备
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,所述方法包括在具有保护绝缘膜的半导体基板上方形成多个外部连接端子、在所述保护绝缘膜中形成多个开口、以及在所述多个开口中分别暴露多个电极焊盘,所述形成多个外部连接端子包括:通过在所述保护绝缘膜上方选择性地形成可固化树脂层,来形成以后分别给定为所述多个外部连接端子的核的多个凸部;在所述凸部被固化之前,通过将具有平坦表面的成型夹具压到所述多个凸部的顶表面上,来在所述顶表面上分别形成平坦部;固化所述多个凸部;以及通过在所述多个凸部、所述保护绝缘膜以及所述多个电极焊盘上方选择性地形成导电膜,来形成所述多个外部连接端子和多个互连,所述多个互连分别将所述多个外部连接端子连接到所述电极焊盘。
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