[发明专利]一种大功率平面结双向TVS二极管芯片及其生产方法无效
| 申请号： | 201010216979.8 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101916786A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 周明;苏学杰;穆连和;顾理健 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种大功率平面结双向TVS二极管芯片及其生产方法，涉及一种半导体器件的制造技术领域，先将硅片采用双面SiO2保护后，同时在双面光刻出扩散窗口，在扩散窗口内同时形成P型扩散区后，在P型扩散表面形成镀膜区。本发明工艺采用浅结扩散，扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低。生产过程中无需挖槽，可提高硅片的利用率高，提高产品的电流密度。不在玻璃钝化层上划片，避免了玻璃钝化膜应力的产生，利于结构的牢靠，减少了漏电流，尤其是高温下的漏电流，进一步提高产品的可靠性。镀膜采用多层金属化方式，一次完成，工艺简单，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 平面 双向 tvs 二极管 芯片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种大功率平面结双向TVS二极管芯片，其特征在于在N区的正反两面分别设置P扩散区，在所述两个P扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。
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