[发明专利]溅射方法有效
| 申请号： | 201010215176.0 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102312206A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 大野遥平;矶部辰德;新井真;赤松泰彦;小松孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种溅射方法，以简单的方法防止被处理基板外周部的膜层下垂，实现均匀的膜厚分布。在同一平面上并列设置至少三个靶对，在该靶的后方平行配置磁回路，由前述并列设置方向两端的靶对上连接的溅射电源根据规定的电力比供给电力，该电力大于被前述两端的靶对夹持的靶对上连接的溅射电源所供给的电力，并且，提高与前述磁回路并列设置方向垂直的方向上的两端部的磁场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射方法，在真空腔内，与被处理基板相对、在同一平面上并列设置至少三个靶，在该靶的后方平行配置磁回路，由连接在前述各靶上的溅射电源供给电力，在靶和前述被处理基板之间形成电场、产生等离子体的同时，在与前述电场垂直的方向上形成磁场，对前述各靶进行溅射，通过前述方法在前述被处理基板上形成薄膜，其特征在于，由在并列设置方向两端的靶上连接的溅射电源根据规定的电力比供给电力，该电力大于被前述两端的靶夹持的靶上连接的溅射电源所供给的电力。
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