[发明专利]溅射方法

权利要求书

1.一种溅射方法，在真空腔内，与被处理基板相对、在同一平面上并列设置至少三个靶，在该靶的后方平行配置磁回路，由连接在前述各靶上的溅射电源供给电力，在靶和前述被处理基板之间形成电场、产生等离子体的同时，在与前述电场垂直的方向上形成磁场，对前述各靶进行溅射，通过前述方法在前述被处理基板上形成薄膜，其特征在于，由在并列设置方向两端的靶上连接的溅射电源根据规定的电力比供给电力，该电力大于被前述两端的靶夹持的靶上连接的溅射电源所供给的电力。

2.根据权利要求1所述的溅射方法，其特征在于，代替前述至少三个靶，在同一平面上并列设置至少三个靶对，对应各靶对成对地平行配置前述磁回路，对每个靶对连接交流电源作为前述溅射电源，由两端的靶对上连接的交流电源根据规定的电力比供给电力，该电力大于被前述两端的靶对夹持的靶对上连接的交流电源所供给的电力。

3.根据权利要求2所述的溅射方法，其特征在于，提高与前述磁回路并列设置方向垂直的方向上的两端部的磁场强度。

4.根据权利要求3所述的溅射方法，其特征在于，在与前述磁回路的并列设置方向垂直方向的两端部上，分别追加设置辅助磁铁，提高前述两端部的磁场强度。