[发明专利]半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件

摘要

半导体器件的接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件，所述方法在源/漏区上形成了下部为多个接触孔、上部为沟槽接触的接触结构，所述接触孔具有较小的孔径，所述沟槽接触具有较大的接触面积，孔径较小的接触孔与接触面积较大的沟槽接触，易于和上层的金属层相连接，从而提高了接触的导电性能，进而提高了器件的整体性能。

主权项

一种半导体器件的接触的制造方法，所述方法包括：A、提供半导体衬底以及半导体器件，所述器件包括栅极区和源/漏区；所述栅极区由栅介质层和栅电极构成；金属硅化物位于所述栅电极的上表面，且由所述栅极区和所述金属硅化物构成栅堆叠；B、在所述源/漏区上形成层间介质层；C、在所述层间介质层内形成多个有序的通孔，并填充所述通孔形成接触孔；D、在所述层间介质层内形成位于接触孔之上的沟槽接触，其中每个沟槽接触都对应于多个接触孔，每个沟槽接触只连接单个源/漏区域；所述沟槽接触和所述栅堆叠位于同一层层间介质层内。