[发明专利]一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法有效
| 申请号： | 201010207551.7 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101870852A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张永峰;王宝运 | 申请（专利权）人： | 北京国瑞升科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C23F3/00 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区上*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法，主要应用于大尺寸半导体硅衬底片的超精密加工，能够获得纳米级超光滑表面。所述抛光液的组份和含量的重量百分比如下：二氧化硅磨料5～50；pH值调节剂1～10；表面活性剂0.01～5；助清洗剂0.01～0.05；螯合剂0.01～2：去离子水余量；所述二氧化硅以硅溶胶的状态加入。按上述组份和含量制成抛光液，在合适的抛光工艺条件下，获得了高质量的抛光表面，满足了半导体工业对硅衬底片表面质量和去除速率的要求，且本发明具有成本低、易清洗以及低腐蚀性等优点，具备很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 硅片 化学 机械抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸硅片用化学机械抛光液，其特征在于，所述抛光液的组份和含量的重量百分比如下：二氧化硅磨料5～50；PH值调节剂1～10；表面活性剂0.01～5；助清洗剂0.01～0.05；螯合剂0.01～2；去离子水余量；所述二氧化硅以硅溶胶的状态加入。
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