[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010204290.3 | 申请日： | 2010-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102290511A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法，包括以下步骤：提供一衬底；于该衬底的一侧表面上形成一磊晶层，所述磊晶层包括自所述衬底上依次堆叠形成的一n型氮化镓层、一发光量子阱层、一p型氮化镓层；于所述p型氮化镓层的外侧表面形成一导电基板；剥离所述衬底，使所述n型氮化镓层一侧的表面外露；蚀刻所述磊晶层，使所述磊晶层内形成有若干贯穿其上下表面的沟槽；提供一透明导电层，并将所述透明导电层贴设于所述n型氮化镓层外露的表面上；及提供一导电衬垫，将所述衬垫固定于所述透明导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括一导电基板及位于导电基板一侧表面的一磊晶层，所述磊晶层包括依次堆叠于导电基板上的一p型氮化镓层、一发光量子阱层及一n型氮化镓层，其特征在于：所述磊晶层内设置有若干贯穿其上下表面的沟槽，所述n型氮化镓层于远离p型氮化镓层的外侧表面上覆盖有一透明导电层，一金属衬垫设置于所述透明导电层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010204290.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
