[发明专利]制作半导体器件结构的方法有效
| 申请号： | 201010203828.9 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102280411A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/11;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件结构的方法，包括：提供一具有离子阱的衬底，该衬底上方形成有对应该离子阱的栅极结构；在该栅极结构的外围形成从外到内依次为第一侧壁层结构、第一偏移侧壁层结构和第一垫氧层结构的第一间隙壁结构；在衬底上形成外延区；去除所述第一间隙壁结构中的第一侧壁层结构；在衬底中位于所述外延区的内侧且紧邻于所述外延区的位置形成轻掺杂区，部分的轻掺杂区位于第一偏移侧壁层结构的下方；以及在第一偏移侧壁层结构的外侧形成第二侧壁层结构，且在衬底中形成源/漏极区，得到半导体器件结构。上述方法可使LDD区与外延区较少重合，且可以减少在形成第一偏移侧壁层结构时产生的栅极结构的外延薄膜损失。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件结构的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：提供一具有离子阱的衬底，该衬底上方形成有对应该离子阱的栅极结构；在所述栅极结构的外围形成第一间隙壁结构，该第一间隙壁结构从外到内依次包括第一侧壁层结构、第一偏移侧壁层结构和第一垫氧层结构；在所述衬底上位于所述第一侧壁层结构的外侧且紧邻于所述第一侧壁层结构的位置形成外延区；去除所述第一间隙壁结构中的所述第一侧壁层结构；在所述衬底中位于所述外延区的内侧且紧邻于所述外延区的位置形成轻掺杂区，该轻掺杂区的一部分位于所述第一偏移侧壁层结构的下方；以及在所述第一偏移侧壁层结构的外侧形成第二侧壁层结构，且在所述衬底中形成源/漏极区，得到所述半导体器件结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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