[发明专利]一种纳米线阻变存储器及其实现方法无效
申请号: | 201010202275.5 | 申请日: | 2010-06-17 |
公开(公告)号: | CN101894909A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 刘晗;顾晶晶;王鹏飞;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于非挥发性存储器技术领域,具体公开了一种纳米线阻变存储器及其实现方法。本发明使用金属-金属氧化物核壳结构的纳米线来实现阻变存储器,所述纳米线的核为金属,作为阻变存储器的传导层;所述纳米线的壳为金属氧化物半导体或绝缘体,作为阻变存储器的阻变层。本发明所公开的纳米线阻变存储器具有结构简单、操作电压低等优点,并且可以应用于未来的纳米线集成电路,或者其它种类的柔性集成电路里的存储器部分。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 线阻变 存储器 及其 实现 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米线阻变存储器,其特征在于,该纳米线阻变存储器包括:位于衬底之上的纳米线;以及,位于所述所述纳米线之上的金属电极;其中所述纳米线为金属‑金属氧化物核壳结构的纳米线。
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