[发明专利]一种纳米线阻变存储器及其实现方法无效

专利信息
申请号: 201010202275.5 申请日: 2010-06-17
公开(公告)号: CN101894909A 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 刘晗;顾晶晶;王鹏飞;张卫 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于非挥发性存储器技术领域,具体公开了一种纳米线阻变存储器及其实现方法。本发明使用金属-金属氧化物核壳结构的纳米线来实现阻变存储器,所述纳米线的核为金属,作为阻变存储器的传导层;所述纳米线的壳为金属氧化物半导体或绝缘体,作为阻变存储器的阻变层。本发明所公开的纳米线阻变存储器具有结构简单、操作电压低等优点,并且可以应用于未来的纳米线集成电路,或者其它种类的柔性集成电路里的存储器部分。
搜索关键词: 一种 纳米 线阻变 存储器 及其 实现 方法
【主权项】:
一种纳米线阻变存储器,其特征在于,该纳米线阻变存储器包括:位于衬底之上的纳米线;以及,位于所述所述纳米线之上的金属电极;其中所述纳米线为金属‑金属氧化物核壳结构的纳米线。
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