[发明专利]一种纳米线阻变存储器及其实现方法无效
| 申请号： | 201010202275.5 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101894909A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘晗;顾晶晶;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 线阻变 存储器 及其 实现 方法 | ||
1.一种纳米线阻变存储器，其特征在于，该纳米线阻变存储器包括：
位于衬底之上的纳米线；
以及，位于所述所述纳米线之上的金属电极；
其中所述纳米线为金属-金属氧化物核壳结构的纳米线。
2.根据权利要求1所述的纳米线阻变存储器，其特征在于，所述纳米线的核为Au、Pt、Pd、Ni或Co，作为阻变存储器的传导层；所述纳米线的壳为金属氧化物半导体或绝缘体，作为阻变存储器的阻变层。
3.根据权利要求1所述的纳米线阻变存储器，其特征在于，所述金属电极采用Pt、Al、Au、Pd或Ni。
4.根据权利要求2所述的纳米线阻变存储器，其特征在于，所述金属氧化物为Ga2O3、SnO2。
5.一种纳米线阻变存储器的实现方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一绝缘体衬底；
在所述绝缘衬底上形成金属纳米颗粒；
利用气态-液态-固态法在所述绝缘体衬底上合成金属-金属氧化物核壳结构的纳米线；
将所形成的纳米线旋涂于一半导体衬底之上；
在所述纳米线之上形成金属电极。
6.根据权利要求5所述的实现方法，其特征在于，所述绝缘衬底为SiO2、Si3N4或者其它材料的绝缘体。
7.根据权利要求5所述的实现方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒为Au、Pt、Pd、Ni或Co。
8.根据权利要求5所述的实现方法，其特征在于，所述金属氧化物为Ga2O3或SnO2。
9.根据权利要求5所述的实现方法，其特征在于，所述半导体衬底为单晶硅、多晶硅或者绝缘体上的硅。
10.根据权利要求5所述的实现方法，其特征在于，所述金属电极采用Pt、Al、Au、Pd或Ni。
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