[发明专利]一种存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201010198812.3 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101958146A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，所描述的存储器装置包含相变存储器单元的参考阵列及相变存储器单元的存储器阵列，其中储存于所述参考阵列中的当前数据集与预期数据集之间的差异用以判定何时更新所述存储器阵列。所述参考阵列的高电阻状态为“部分复位”状态，其最小阻值小于所述存储器阵列的高电阻状态的最小阻值。感测电路用以读取所述参考阵列的所述存储器单元，并在储存于所述参考阵列中的当前数据集与预期数据集之间存在差异的情况下产生更新命令信号；且控制电路响应于所述更新命令信号而对所述存储器阵列的所述存储器单元执行更新操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其特征在于，包括：一相变存储器单元的存储器阵列；一相变存储器单元的参考阵列；一偏压电路，用以在所述存储器阵列中及所述参考阵列中建立低电阻状态及高电阻状态，所述参考阵列的高电阻状态的最小阻值小于所述存储器阵列的高电阻状态的最小阻值；一感测电路，用以读取所述参考阵列，并在储存于所述参考阵列中的当前数据集与预期数据集之间存在差异的情况下产生一更新命令信号；以及一控制电路，响应于所述更新命令信号而对所述存储器阵列执行更新操作。
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