[发明专利]一种存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一相变存储器单元的存储器阵列；

一相变存储器单元的参考阵列；

一偏压电路，用以在所述存储器阵列中及所述参考阵列中建立低电阻状态及高电阻状态，所述参考阵列的高电阻状态的最小阻值小于所述存储器阵列的高电阻状态的最小阻值；

一感测电路，用以读取所述参考阵列，并在储存于所述参考阵列中的当前数据集与预期数据集之间存在差异的情况下产生一更新命令信号；以及

一控制电路，响应于所述更新命令信号而对所述存储器阵列执行更新操作。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，更包括用以储存对应于所述预期数据集的第一总和检查码的存储器，且其中所述感测电路包含逻辑，用以使用所述当前数据集来计算第二总和检查码，并将所述第一总和检查码与所述第二总和检查码进行比较以产生所述更新命令信号。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，储存于所述参考阵列中的所述预期数据集是所述参考阵列中的邻近存储器单元之间交替的高电阻状态与低电阻状态的一棋盘式图案。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述偏压电路用以对所述参考阵列中的存储器单元施加第一脉冲以建立所述参考阵列的高电阻状态，且用以对所述存储器阵列中的存储器单元施加第二脉冲以建立所述存储器阵列的高电阻状态，所述第一脉冲及所述第二脉冲针对脉冲宽度及脉冲高度中的至少一者具有不同的值。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述参考阵列中的存储器单元的活性区小于所述存储器阵列中的存储器单元的活性区，所述参考阵列包含100个或100个以上的存储器单元。

6.一种用于操作包括相变存储器单元的存储器阵列及相变存储器单元的参考阵列的存储器装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将低电阻状态及高电阻状态储存于所述存储器阵列中及所述参考阵列中，所述参考阵列的高电阻状态的最小阻值小于所述存储器阵列的高电阻状态的最小阻值；

读取所述参考阵列；

判定储存于所述参考阵列中的当前数据集与预期数据集之间的差异；以及

在判定所述差异之后，对所述存储器阵列执行更新操作。

7.根据权利要求6所述的用于操作包括相变存储器单元的存储器阵列及相变存储器单元的参考阵列的存储器装置的方法，其中所述判定包含：

使用所述当前数据集来计算总和检查码；以及

对所述总和检查码与预期总和检查码进行比较以判定差异。

8.根据权利要求6所述的用于操作包括相变存储器单元的存储器阵列及相变存储器单元的参考阵列的存储器装置的方法，其特征在于，储存于所述参考阵列中的所述预期数据集是所述参考阵列中的邻近存储器单元之间交替的高电阻状态与低电阻状态的棋盘式图案。

9.根据权利要求6所述的用于操作包括相变存储器单元的存储器阵列及相变存储器单元的参考阵列的存储器装置的方法，其特征在于，所述储存包含：

对所述参考阵列中的存储器单元施加第一脉冲以建立所述参考阵列的所述高电阻状态；以及

对所述存储器阵列中的存储器单元施加第二脉冲以建立所述存储器阵列的所述高电阻状态，所述第一脉冲及所述第二脉冲针对脉冲宽度及脉冲高度中的至少一者具有不同的值。

10.根据权利要求6所述的用于操作包括相变存储器单元的存储器阵列及相变存储器单元的参考阵列的存储器装置的方法，其特征在于，所述参考阵列中的存储器单元的活性区小于所述存储器阵列中的存储器单元的活性区，所述参考阵列包含100个或100个以上的存储器单元。