[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 201010194130.5 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101902012A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 曾我部隆一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光装置，其结构包括半导体激光器芯片，具有发射面和反射面，发射面和反射面是谐振器的相对的端面；以及光电二极管，用于探测从所述反射面出射的光，光电二极管在光电二极管的灵敏度随波长增长而增高的波长带中使用。发射面具有形成于所述发射面上的第一电介质多层膜，反射面具有形成于所述反射面上的第二电介质多层膜，第一电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λf和第二电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λr满足关系λf＜λr。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光装置，包括：半导体激光器芯片，具有发射面和反射面，所述发射面和所述反射面是谐振器的相对的端面；以及光电二极管，用于探测从所述反射面侧出射的光，所述光电二极管在所述光电二极管的灵敏度随波长增长而增高的波长带中使用，其中，所述发射面具有形成于所述发射面上的第一电介质多层膜，所述反射面具有形成于所述反射面上的第二电介质多层膜，以及其中，所述第一电介质多层膜的反射率达到峰值时的波长λf和所述第二电介质多层膜的反射率达到峰值时的波长λr满足关系λf＜λr。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010194130.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
