[发明专利]栅极制造方法无效
| 申请号： | 201010192407.0 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270573A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;黄怡;孟晓莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种栅极制造方法，该栅极方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅极介质层和栅极导电层；在所述栅极导电层上形成图案化光阻层；在所述图案化光阻层表面形成聚合物层，所述图案化光阻层和所述聚合物层构成第一掩膜单元；以所述第一掩膜单元为掩膜，刻蚀所述栅极导电层和栅极介质层；去除所述第一掩膜单元，以形成栅极。本发明有利于形成表面平滑的栅极，提高半导体器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅极介质层和栅极导电层；在所述栅极导电层上形成图案化光阻层；在所述图案化光阻层表面形成聚合物层，所述图案化光阻层和聚合物层构成第一掩膜单元；以所述第一掩膜单元为掩膜，刻蚀所述栅极导电层和栅极介质层；去除所述第一掩膜单元，以形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
