[发明专利]太阳能电池芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201010191998.X | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270674A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种太阳能电池芯片，其包括基底及位于该基底上的第一接面及第二接面，该第一接面的能隙比该第二接面的能隙低，且该第一接面比该第二接面靠近该基底，其中，该太阳能电池芯片还包括连接该第一接面与该第二接面的第一透明电极层。上述太阳能电池芯片使用透明电极层代替穿隧二极管/接面，光线可较顺利地从两接面间传播，从而提高了光电转换效率。本发明还涉及一种上述太阳能电池芯片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池芯片，其包括基底及位于该基底上的第一接面及第二接面，该第一接面的能隙比该第二接面的能隙低，且该第一接面比该第二接面靠近该基底，其特征在于，该太阳能电池芯片还包括连接该第一接面与该第二接面的第一透明电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司，未经富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010191998.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种能有效克服光照暗区的具有外置电源的LED管灯
- 下一篇：拼组式模型组合
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
