[发明专利]吸附检测解除方法、处理装置及计算机能读取的存储介质无效
申请号: | 201010191920.8 | 申请日: | 2010-06-01 |
公开(公告)号: | CN101901746A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 田中诚治;古屋敦城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供吸附检测解除方法、处理装置及计算机能读取的存储介质。该吸附检测解除方法在减小基板破损的可能性的同时、检测基板是否吸附在载置台上并解除该吸附。该吸附检测解除方法包括以下工序:以规定的吸附判定压力自载置台的载置面向被处理体的背面供给流体(步骤2);检测自以吸附判定压力开始供给流体起经过了规定的吸附判定时间时流体的流量;判定在该工序中检测出的流体的流量是否为规定的吸附判定流量以下(工序3);根据该工序中的判定结果,在流体的流量为吸附判定流量以下的情况下,使向被处理体的背面供给流体的压力为比吸附判定压力高的吸附解除压力(步骤7)。 | ||
搜索关键词: | 吸附 检测 解除 方法 处理 装置 计算 机能 读取 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种吸附检测解除方法,该吸附检测解除方法在使上述被处理体脱离载置被处理体的载置台之前检测上述被处理体是否吸附在上述载置台上,在吸附着的情况下解除吸附,其特征在于,包括以下工序:(1)以规定的吸附判定压力自上述载置台的载置面向上述被处理体的背面供给流体;(2)检测从以上述吸附判定压力开始供给流体起经过了规定的吸附判定时间时的上述流体的流量;(3)判定在上述(2)工序中检测出的上述流体的流量是否为规定的吸附判定流量以下;(4)根据上述(3)工序中的判定结果,在上述流体的流量为上述吸附判定流量以下的情况下,使向上述被处理体的背面供给流体的压力为比上述吸附判定压力高的吸附解除压力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010191920.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造