[发明专利]半导体器件及其制造方法以及固态摄像元件

摘要

本发明提供了半导体器件及其制造方法以及固态摄像元件。这里公开了一种半导体器件，其包括具有第一导电类型的沟道并且通过将栅电极埋入半导体衬底中而形成的竖直型MOS晶体管、具有所述第一导电类型的沟道并且具有形成在所述半导体衬底上的栅电极的平面型MOS晶体管以及具有第二导电类型的沟道并且具有形成在所述半导体衬底上的栅电极的平面型MOS晶体管，所述半导体器件包括形成在具有所述第一导电类型的沟道的所述竖直MOS晶体管的下方或上方的除晶体管之外的其他电路元件。

主权项

一种半导体器件，其包括具有第一导电类型的沟道并且通过将栅电极埋入半导体衬底中而形成的竖直型MOS晶体管、具有所述第一导电类型的沟道并且具有形成在所述半导体衬底上的栅电极的平面型MOS晶体管以及具有第二导电类型的沟道并且具有形成在所述半导体衬底上的栅电极的平面型MOS晶体管，所述半导体器件包括：具有所述第一导电类型的沟道的所述竖直型MOS晶体管，其包括具有层压结构的所述栅电极，在所述层压结构中按顺序形成引入所述第一导电类型的杂质的电极层以及没有引入杂质的电极层；具有所述第一导电类型的沟道的所述平面型MOS晶体管，其包括具有层压结构的所述栅电极，在所述层压结构中按顺序形成引入所述第一导电类型的杂质的电极层以及没有引入杂质的电极层；具有所述第二导电类型的沟道的所述平面型MOS晶体管，其包括作为所述第二导电类型的电极的、具有层压结构的所述栅电极，在所述层压结构中按顺序形成引入所述第一导电类型的杂质的电极层以及引入所述第二导电类型的杂质的电极层；以及除晶体管之外的其他电路元件，其形成在具有所述第一导电类型的沟道的所述竖直MOS晶体管的下方或上方。