[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法，属于有机电子学领域。该器件包括绝缘衬底以及在绝缘衬底上的源电极、介质层、栅电极、有机半导体层、绝缘层和漏电极，漏电极位于绝缘衬底上，并与绝缘衬底接触；介质层、有机半导体层和绝缘层位于漏电极上，并与漏电极接触；源电极中央设有一个圆孔，位于绝缘层和有机半导体层上，并与绝缘层和有机半导体层接触；栅电极为柱状，位于所述晶体管中央，被介质层包裹住；有机半导体层为管状，包裹在介质层周围。本发明采用低温工艺，把沟道由传统的平面型改进为垂直型，通过控制有机半导体层的薄膜厚度就能够控制晶体管的沟道长度，大幅度地降低制备短沟道有机晶体管的难度，从而减少了制备的成本。

主权项

一种有机场效应晶体管，包括绝缘衬底以及在所述绝缘衬底上的源电极、介质层、栅电极、有机半导体层、绝缘层和漏电极，其特征在于：所述漏电极位于所述绝缘衬底上，并与所述绝缘衬底接触；所述介质层、有机半导体层和绝缘层位于所述漏电极上，并与所述漏电极接触；所述源电极中央设有一个圆孔，所述源电极位于所述绝缘层和有机半导体层上，并与所述绝缘层和有机半导体层接触；所述栅电极为柱状栅电极，位于所述晶体管中央，被所述介质层包裹住，所述介质层使所述栅电极和源电极、漏电极隔离开；所述有机半导体层为管状有机半导体层，包裹在所述介质层周围。