[发明专利]一种体硅微机械谐振器及制作方法有效

专利信息
申请号: 201010181105.3 申请日: 2010-05-21
公开(公告)号: CN101867080A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 熊斌;吴国强;徐德辉;王跃林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01P7/06 分类号: H01P7/06;H01P11/00;B81B3/00;B81C1/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 潘振甦
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种体硅微机械谐振器及制作方法,其特征在于所述的谐振器是由衬底硅片、结构硅片及盖板硅片三层键合在一起形成的,衬底硅片的正面与结构硅片的背面,结构硅片的正面与盖板硅片的背面分别通过键合黏合在一起;制作时先将悬浮结构——谐振振子正下方的空腔制作好,再将器件结构层通过键合的方法制作在空腔上方,然后通过干法刻蚀在制作谐振器器件结构的同时,也将谐振器器件结构进行释放,最后利用真空圆片对准键合把盖板硅片固定在结构硅片上方。由于谐振器下方的空腔在器件结构制作之前用湿法腐蚀制成,并且采用圆片级封装对器件进行真空密封。
搜索关键词: 一种 微机 谐振器 制作方法
【主权项】:
一种体硅微机械谐振器,其特征在于包括衬底硅片、结构硅片、盖板硅片、电绝缘层、谐振器振子、焊盘及黏合剂:其中,1)所述的谐振器是由衬底硅片、结构硅片及盖板硅片三层键合在一起形成的,衬底硅片的正面与结构硅片的背面,结构硅片的正面与盖板硅片的背面分别通过键合黏合在一起;2)衬底硅片具有从正面腐蚀的凹腔结构;3)谐振器振子、驱动电极和检测电极结构位于结构硅片上;4)衬底硅片正面凹腔与盖板硅片背面凹腔组成一个真空腔室,谐振器振子位于这个真空腔室中;5)结构硅片位于衬底硅片的上方,谐振振子悬空在衬底凹腔正上方;6)电绝缘层处于衬底硅片和结构硅片之间。
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