[发明专利]一种硅片叠层合金的加热工艺有效
| 申请号： | 201010176449.5 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101859715A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 缪玉华;陈许平;刘顺谦 | 申请（专利权）人： | 南通皋鑫电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所 11316 | 代理人： | 钟廷良;李慧芳 |
| 地址： | 226500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片叠层合金的加热工艺，由硅片的PN判定、积层、硅叠合金四大步骤构成；本工艺主要为将硅片与合金用铅锡片进行叠层合金；在将所述硅片PN判定后，将P面向上，并按对应关系将硅片与铅锡片交错重叠；然后将重叠的硅片和铅锡片置于积层器具内形成硅叠，然后将硅叠两面各放一片仿晶片，再在两面各放一块钼板后，置于合金炉内进行合金；合金时，把硅叠夹在仿晶片和钼板内放入合金炉的加热部，使加热部中心与钼板中心吻合后进行加热合金。本发明的优点在于：采用上述工艺加热铅锡，内外同时受热均热性好，可短时间加热、冷却、焊接流散性好，形成后的硅叠焊接无孔眼，焊接强度好，硅块后道加工断条率在5％以下且节省能源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 合金 加热 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅片叠层合金的加热工艺，由硅片的PN判定、积层、硅叠合金四大步骤构成；本工艺主要为将硅片与合金用铅锡片进行叠层合金；其特征在于：在将所述硅片PN判定后，将P面向上，并按对应关系将硅片与铅锡片交错重叠；然后将重叠的硅片和铅锡片置于积层器具内形成硅叠，然后将硅叠两面各放一片仿晶片，再在两面各放一块钼板后，置于合金炉内进行合金；合金时，把硅叠夹在仿晶片和钼板内放入合金炉的加热部，使加热部中心与钼板中心吻合后进行加热合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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