[发明专利]阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，其中阵列基板包括：衬底基板以及形成在衬底基板上的数据线、第一电极、第二电极、沟道、掺杂半导体层、半导体层、栅绝缘层、像素电极、数据线接口、栅电极和栅线；数据线与第一电极连接，沟道位于第一电极和第二电极之间，掺杂半导体层形成在第一电极、第二电极和数据线的上方；半导体层形成在掺杂半导体层的上方，栅绝缘层形成在半导体层的上方，像素电极与第二电极连接，数据线接口穿透栅绝缘层、半导体层及掺杂半导体层与数据线连接；栅电极形成在栅绝缘层的上方，且位于沟道的上方，栅电极与栅线连接。本发明简化了工艺步骤，缩短了生产周期，提高了生产效率和良品率，降低了生产成本。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，通过第一次构图工艺形成包括数据线、第一电极、第二电极、沟道和掺杂半导体层的第一图形，其中所述数据线与所述第一电极连接，所述沟道位于所述第一电极和第二电极之间，所述掺杂半导体层形成在所述第一电极、所述第二电极和所述数据线的上方；在形成所述第一图形的衬底基板上沉积半导体薄膜和栅绝缘层薄膜，通过第二次构图工艺后沉积透明导电薄膜，采用剥离技术形成包括半导体层、栅绝缘层、像素电极和数据线接口的第二图形，其中所述像素电极与所述第二电极连接，所述数据线接口与所述数据线连接；在形成所述第一图形和所述第二图形的衬底基板上沉积栅金属薄膜，采用单色调掩膜板，通过第三次构图工艺形成包括栅电极和栅线的第三图形，所述栅电极与所述栅线连接，所述栅电极位于所述沟道的上方。