[发明专利]超导化合物、其制造方法及光致调制方法和装置无效
| 申请号： | 201010175728.X | 申请日： | 2010-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102243909A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李强 | 申请（专利权）人： | 田多贤 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B12/00 |
| 代理公司： | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明人在前人工作的基础上对声子的本质进行了确认，并进而在现有物理理论的框架内，明确论述了晶体电子对的配对机制和结合能。提供了一种超导化合物制造方法，包括：在超导化合物中形成能带系统，其包括上能带部分E2(k)和下能带部分E1(k)，且满足E2(k)-E1(k)≤hvM，其中vM是化合物中的声子振动模的最大频率，且其中至少有一对k2和k1值满足：k2≈k1±vO/c以及E2(k2)-E1(k1)≈hvO，c是光速，vO是所述超导化合物的一个光学声子频率，且E2(k2)≈所述超导化合物的费米能级(EF)。还提供了用上述方法制成的化合物以及一种晶体导电/超导器件的光致调制方法，包括：把光照射到晶体/超导晶体(101)上；其中所述光包含与具有所述晶体/超导晶体(101)中的至少一个光学声子模的频率(vO)相匹配的频率的光分量。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 化合物 制造 方法 调制 装置 | ||
【主权项】：
超导化合物的制造方法，其特征在于包括：在所述超导化合物中形成一个能带系统，该能带系统包括一个上能带部分E2(k)和位于所述上能带下方的一个下能带部分E1(k)，所述上能带部分和所述下能带部分满足E2(k)‑E1(k)≤hvM，其中vM是所述超导化合物中的声子振动模的最大频率，且其中至少有一对k2和k1值满足：k2≈k1±vO/c，以及E2(k2)‑E1(k1)≈hvO，其中c是光速，vO是所述超导化合物的一个光学声子频率，且E2(k2)≈所述超导化合物的费米能级(EF)。
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