[发明专利]超导化合物、其制造方法及光致调制方法和装置

权利要求书

1.超导化合物的制造方法，其特征在于包括：

在所述超导化合物中形成一个能带系统，该能带系统包括一个上能带部分E₂(k)和位于所述上能带下方的一个下能带部分E₁(k)，

所述上能带部分和所述下能带部分满足E₂(k)-E₁(k)≤hv_M，其中v_M是所述超导化合物中的声子振动模的最大频率，且其中至少有一对k₂和k₁值满足：

k₂≈k₁±v_O/c，以及

E₂(k₂)-E₁(k₁)≈hv_O，其中c是光速，v_O是所述超导化合物的一个光学声子频率，

且E₂(k₂)≈所述超导化合物的费米能级(E_F)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于

所述上能带部分E₂(k)和下能带部分E₁(k)分别是两个彼此交叉的能带的一部分。

3.用根据上述权利要求1或2的方法制成的化合物。

4.晶体导电/超导器件的光致调制方法，其特征在于包括：

把光照射到晶体/超导晶体(101)上；

其中所述光包含与具有所述晶体/超导晶体(101)中的至少一个光学声子模的频率(v_O)相匹配的频率的分量。

5.根据权利要求4的方法，其特征在于进一步包括：

用一个光源(102)发出所述光；

用一个驱动装置(104)提供驱动所述光源(102)的驱动信号；

对所述驱动信号进行调制，从而调制所述光源(102)的输出光强。

6.根据权利要求4的方法，其特征在于所述光源(102)是与晶体/超导晶体(101)集成在一起半导体光源。

7.根据权利要求4的方法，其特征在于所述光源(102)是从以下选出的一种：

一个激光器，

一个发光二极管102，

一个太赫兹辐射源。

8.光致调制晶体导电/超导装置，其特征在于包括：

一个晶体/超导晶体(101)；

一个光源(102)，其发出的光被投射到所述晶体/超导晶体(101)上；

其中所述光包含其频率与所述晶体/超导晶体(101)中的至少一个光学声子模的频率(v_O)相匹配的光分量。

9.根据权利要求8的光致调制晶体导电/超导装置，其特征在于

所述光源(102)是与晶体/超导晶体(101)集成在一起半导体光源。

10.根据权利要求9的光致调制晶体导电/超导装置，其特征在于进一步包括：

设置在所述光源(102)之前的一个光学准直装置(103)

一个驱动装置(104)，用于提供驱动所述光源(102)的驱动信号，

其中

所述驱动信号受到了调制，从而调制所述光源(102)的输出光强，

所述半导体光源是从以下选出的一种：

一个激光器，

一个发光二极管102，

一个太赫兹辐射源。