[发明专利]超导化合物、其制造方法及光致调制方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及基于超导化合物、其制造方法及光致调制方法和装置。

背景技术

导电/超导现象的机制目前尚无定论，是一个重要的技术和理论问题。而以往对一般导电的机制的认识实际上也并不全面。由于目前对超导机制没有明确、合理的理论和认识，因此在导电/超导材料和器件的设计开发上具有极大的盲目性。

超导机制的一个核心要素是电子配对，目前虽然已经提出了多种电子配对机理，但与超导有关的电子配对机理仍然是一个很具争议的话题。

在下列中国专利申请中，本发明人提出了一种新颖的电子配对机制：

1、中国专利申请第201010113121.9号，题目《超导材料和超导器件》；

2中国专利申请第201010116943.2号，题目《导电/超导材料的制造方法和由该方法制造的导电/超导材料》；

3、中国专利申请第201010129307.3号，题目《超导化合物制造方法及用该方法制造的超导化合物》；

4、中国专利申请第201010136016.7号，题目《超导器件/材料的光/电磁波调制方法和装置》；

5、中国专利申请第201010137674.8号，题目《超导和/或导电参数的光/电磁波调制方法和装置》。

该电子配对机理具有以下特点：

-配对是建立在具有不同能量的两个电子之间的；

-配对中的电子处于非定态；

-配对是声子中介的过程，并由一个阈值声子所约束；该阈值声子是原来处于较高的能级上的电子发射的；

-这种电子配对反映在量子力学的基本数学运算结果中，具有清晰确定的物理涵义；它不基于假设；

-该电子配对机理简单明了；只是其中所涉及的虚拟受激跃迁，尤其是其中的结合能，需要进行比较深入的理解。

在本发明人2010年4月17日在线发表的论文《超导中的电子对的配对机制》(见：http://www.paper.edu.cn/index.php/default/releasepaper/content/42033)也系统论述了上述电子配对机制和相关的超导问题。

但由于该机制的一些环节还不是很清楚，导致在上述发明的一些原理叙述上还需要澄清(虽然这些问题并不影响上述申请的权利要求主张)。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了超导化合物的制造方法，其特征在于包括：

在所述超导化合物中形成一个能带系统，该能带系统包括一个上能带部分E₂(k)和位于所述上能带下方的一个下能带部分E₁(k)，

所述上能带部分和所述下能带部分满足E₂(k)-E₁(k)≤hv_M，其中v_M是所述超导化合物中的声子振动模的最大频率，且其中至少有一对k₂和k₁值满足：

k₂≈k₁±v_O/c以及

E₂(k₂)-E₁(k₁)≈hv_O，其中v_O是所述超导化合物的一个光学声子频率，

且E₂(k₂)≈所述超导化合物的费米能级(E_F)。

根据本发明的另一个方面，提供了用根据上述权利要求1或2的方法制成的化合物。

根据本发明的又一个方面，提供了一种晶体导电/超导器件的光致调制方法，其特征在于包括：

把光照射到晶体/超导晶体上；

其中所述光包含与所述晶体/超导晶体中的至少一个光学声子模的频率相同/相近频率的光分量。

根据本发明的又一个方面，提供了一种光致调制晶体导电/超导装置，其特征在于包括：

一个晶体/超导晶体；

一个光源，其发出的光被投射到所述晶体/超导晶体上；

其中所述光包含其频率与所述晶体/超导晶体中的至少一个光学声子模的频率相匹配的光分量。

附图说明

图1是示意图，用于说明本发明人提出的超导电子配对机制。

图2是示意图，用于说明本发明人提出的超导电子配对机制所基于的物理原理。