[发明专利]一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器

摘要

本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器。所述存储器结构：依次为衬底、电子束蒸发或磁控溅射制备的薄膜底电极、脉冲激光淀积或磁控溅射制备的铁酸铋薄膜，以及顶部电极。本发明使用一种新型铁电半导体材料铁酸铋薄膜，具有高达5.4A/cm2的极性调制二极管电流密度，非常适合于高密度信息的存储应用，存储的信息同时兼具非易失性、抗疲劳性、抗辐射性和阻变存储的非破坏性读取功能，提高了非易失性存储单元的编程/擦除速度(皮秒量级)，具有广阔发展空间和市场潜力。

主权项

一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器，其特征在于，依次为衬底(1)、电子束蒸发或磁控溅射制备的薄膜底电极(2)、脉冲激光淀积或磁控溅射制备的铁酸铋薄膜(3)，以及顶部电极(4)。