[发明专利]一种超低功耗低噪声放大器结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201010173289.9 | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101820251A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李东畔;刘军华;李琛;廖怀林;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超低功耗低噪声放大器的电路设计，属于射频集成电路领域。本发明采用电流复用的方法，使用上下级联的两层共源放大结构，在两层共源放大结构的连接点使用大电容，输入端使用高Q值的片外电感，在一级单元电路中使用PMOS负载取代传统的放大器负载电感。使用本发明的放大器电路结构比传统结构的低噪声放大器功耗更低，在性能方面更为优越，其噪声约为2dB，增益在30dB左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 低噪声放大器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超低功耗低噪声放大器的电路结构，其特征在于：使用上下级联的两级共源放大结构，在两级共源放大结构的连接点使用电容。
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