[发明专利]具有防ESD和EOS的保护电路的半导体集成电路有效
申请号: | 201010171356.3 | 申请日: | 2010-04-28 |
公开(公告)号: | CN101877351A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 平田元 | 申请(专利权)人: | 川崎微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04;H02H9/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种具有防ESD和EOS的保护电路的半导体集成电路。半导体集成电路具有:内部电路,该内部电路具有被连接至连接端子的输入端子;保护电路,该保护电路向电源线放电被提供给连接端子的过电压。保护电路包括第一放电电路,该第一放电电路被连接至连接端子;第二放电电路,该第二放电电路被连接至连接端子并且向电源线放电过电压;以及过电压检测电路,该过电压检测电路检测流过第二放电电路的放电电流并且当检测到放电电流时生成过电压检测信号。当提供过电压检测信号时,使得第一放电电路不能放电过电压。 | ||
搜索关键词: | 具有 esd eos 保护 电路 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
一种半导体集成电路,包括:内部电路,所述内部电路具有被连接至连接端子的输入端子;保护电路,所述保护电路向电源线放电被提供给所述连接端子的过电压,所述过电压高于所述内部电路的工作电压,所述保护电路包括:第一放电电路,所述第一放电电路被连接至所述连接端子;第二放电电路,所述第二放电电路被连接至所述连接端子并且向所述电源线放电所述过电压;以及过电压检测电路,所述过电压检测电路检测流过所述第二放电电路的放电电流并且当检测到所述放电电流时生成被提供给所述第一放电电路的过电压检测信号,其中当提供所述过电压检测信号时,使得当没有提供所述过电压检测信号时对所述过电压进行放电的所述第一放电电路不能放电所述过电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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