[发明专利]存储器无效
| 申请号： | 201010170041.7 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101950585A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 周聪乙;周名峰;李重毅;周宗祺 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器，包括存储器阵列、第一及第二操作电路。存储器阵列包括存储单元，用以储存第一及第二位(Bit)。第一操作电路用以对具有实质上相同初始临界电压状态的第一及第二位施加相同数目的编程电压(Operating Shot)，以将第一及第二位编程至终止临界电压状态。第二操作电路包括感测放大器及控制电路。感测放大器用以感测分别对应至第一及第二位的第一及第二存储单元电流。控制单元用以对第一及第二存储单元电流的第一差值电流与参考资料进行比较，以判断第一位的数字状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括：一存储器阵列，包括一存储单元，该存储单元用以储存一第一位及一第二位；一第一操作电路，用以对具有实质上相同初始临界电压状态的该第一及该第二位施加一相同数目的编程电压，以将该第一及该第二位编程至一终止临界电压状态；以及一第二操作电路，包括：一感测放大器，用以感测分别对应至该第一及该第二位的一第一存储单元电流及一第二存储单元电流；及一控制单元，用以对该第一及该第二存储单元电流的一第一差值电流与一参考资料进行比较，以判断该第一位的数字状态。
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