[发明专利]存储器无效

专利信息
申请号: 201010170041.7 申请日: 2010-04-21
公开(公告)号: CN101950585A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 周聪乙;周名峰;李重毅;周宗祺 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器
【权利要求书】:

1.一种存储器,包括:

一存储器阵列,包括一存储单元,该存储单元用以储存一第一位及一第二位;

一第一操作电路,用以对具有实质上相同初始临界电压状态的该第一及该第二位施加一相同数目的编程电压,以将该第一及该第二位编程至一终止临界电压状态;以及

一第二操作电路,包括:

一感测放大器,用以感测分别对应至该第一及该第二位的一第一存储单元电流及一第二存储单元电流;及

一控制单元,用以对该第一及该第二存储单元电流的一第一差值电流与一参考资料进行比较,以判断该第一位的数字状态。

2.如权利要求1所述的存储器,其中:

该第一差值电流是以该第一存储单元电流减去该第二存储单元电流而得到;及

该控制单元更比较该第一存储单元电流及一参考电流。

3.如权利要求2所述的存储器,其中当该第一存储单元电流大于该参考电流时,该控制单元判断该第一位对应至一低临界电压状态。

4.如权利要求1所述的存储器,其中该控制单元对该第二存储单元电流及一参考电流进行比较,并对该第一及该第二存储单元电流的一第二差值电流与该参考资料进行比较,以判断该第二位的数字状态,其中该第二差值电流是以该第二存储单元电流减去该第一存储单元电流而得到。

5.如权利要求4所述的存储器,其中当该第二存储单元电流大于该参考电流时,该控制单元判断该第二位对应至一低临界电压状态。

6.如权利要求1所述的存储器,其中该第一操作电路判断该第一及该第二位是否同时满足一验证标准,当该第一及该第二位并非同时满足该验证标准时,该第一操作电路重新对该第一及该第二位进行编程。

7.如权利要求1所述的存储器,其中该控制单元包括:

一数字模拟转换器,用以转换该第一存储单元电流至一第一逻辑值,并转换该第二存储单元电流至一第二逻辑值;及

一比较器,用以比较该第二逻辑值及该第一逻辑值来决定该第一差值电流。

8.一种存储器,包括:

一存储单元,用以储存一第一位及一第二位;

一感测放大器,用以在一电压施加于该存储单元时,感测分别对应至该第一及该第二位的该第一存储单元电流及一第二存储单元电流;

一控制单元,用以比较一参考电流及该第一存储单元电流或比较一参考资料及该第一及该第二存储单元电流的一第一差值电流,以判断该第一位的一数字状态。

9.如权利要求8所述的存储器,其中该第一差值电流是以该第一存储单元电流减去该第二存储单元电流而得到。

10.如权利要求2所述的存储器,其中当该第一存储单元电流大于该参考电流时,该控制单元判断该第一位对应至一低临界电压状态。

11.如权利要求8所述的存储器,其中该控制单元对该第二存储单元电流及该参考电流进行比较,并对该第一及该第二存储单元电流的一第二差值电流与该参考资料进行比较,以判断该第二位的数字状态,其中该第二差值电流是以该第二存储单元电流减去该第一存储单元电流而得到。

12.如权利要求8所述的存储器,其中当该第二存储单元电流大于该参考电流时,该控制单元判断该第二位对应至一低临界电压状态。

13.如权利要求8所述的存储器,还包括:

一操作电路,用以对具有实质上相同初始临界电压状态的该第一及该第二位施加一相同数目的编程电压,以将该第一及该第二位编程至一终止临界电压状态,该操作电路更判断该第一及该第二位是否同时满足一验证标准,当该第一及该第二位并非同时满足该验证标准时,该第一操作电路重新对该第一及该第二位进行编程。

14.如权利要求8所述的存储器,还包括:

一数字模拟转换器,用以转换该第一存储单元电流至一第一逻辑值,并转换该第二存储单元电流至一第二逻辑值;及

一比较器,用以比较该第二逻辑值及该第一逻辑值来决定该第一差值电流。

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