[发明专利]存储器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存取存储器的方法，且特别是有关于一种应用于包括可储存多位存储单元(Multi-bit Cell)的存储器的存取方法。

背景技术

在科技发展日新月异的现今时代中，非挥发性存储器(Non-volatileMemory)，例如是闪存(Flash)，已经被广泛地应用在电子产品中。举例来说，闪存包括多个存储单元，各存储单元用以储存一个位(Bit)资料。各存储单元对应至一可编程的临界电压，此可编程的临界电压是指示此位资料的逻辑值。

请参照图1，其绘示传统闪存的临界电压的分布示意图。举例来说，参考电压PV是作为判断条件。对应的临界电压小于参考电压PV的位资料，如位资料分布A所示，是被编程为低临界电压状态。位资料分布A中的各个位资料是被判读为具有逻辑值1。对应的临界电压大于参考电压PV的位资料，如位资料分布B所示，是被编程为高临界电压状态。位资料分布B中的各个位资料是被判读为具有逻辑值0。

在传统闪存中，位资料分布B中的位资料必须被编程，以具有位准高于参考电压PV的临界电压，而参考电压PV必须比最高临界电压Vthl_h(指示位资料分布A中位准最高的临界电压)高一个数值范围，否则无法正常地读取传统闪存。如此，传统闪存具有需使用高电压位准的参考电压、大量的编程电压(Program Shots)及冗长的编程时间的缺点。

发明内容

本发明是有关于一种存取方法，应用于包括多个存储单元的存储器中，各存储单元用以储存两笔位(Bit)资料。本发明相关的存取方法应用低参考电压来进行编程操作。此外，即便在存储单元中对应至高临界电压状态的存储单元临界电压分布与对应至低临界电压状态的存储单元临界电压分布彼此交叠(Overlap)时，本发明相关的存取方法仍可有效地对存储器中的资料进行读取。如此，相较于传统存取方法，本发明相关的存取方法可有效地降低编程存储单元所需的编程地压(Program Shots)及对应的编程时间。

根据本发明的一方面，提出一种存储器，包括存储器阵列、第一及第二操作电路。存储器阵列包括存储单元，用以储存第一及第二位(Bit)。第一操作电路用以对具有实质上相同初始临界电压状态的第一及第二位施加相同数目的编程电压(Operating Shot)，以将第一及第二位编程至终止临界电压状态。第二操作电路包括感测放大器及控制电路。感测放大器用以感测分别对应至第一及第二位的第一及第二存储单元电流。控制单元用以对第一及第二存储单元电流的第一差值电流与参考资料进行比较，以判断第一位的数字状态。

根据本发明的另一方面，提出一种存储器，包括存储单元、感测放大器、及控制单元。存储单元用以储存第一及第二位。感测放大器用以在电压施加于存储单元时感测第一及第二存储单元电流，其分别对应至第一及第二位。控制单元用以比较参考电流及第一存储单元电流或比较参考资料及第一及第二存储单元电流的第一差值电流，以判断第一位的数字状态。

附图说明

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下，其中：

图1绘示传统闪存的临界电压的分布示意图。

图2绘示依照本发明实施例的存储器的方块图。

图3A绘示存储器阵列12的初始临界电压分布的示意图。

图3B绘示存储器阵列12的编程后临界电压分布的示意图。

图4绘示依照本发明实施例的操作电路16的详细方块图。

图5绘示依照本发明实施例的存取方法的流程图。

图6绘示依照本发明实施例的存取方法的部份流程图。

图7绘示依照本发明实施例的编程方法的流程图。

图8绘示乃图4的控制单元16b的详细方块图。

具体实施方式

本实施例相关的存取方法应用分别对应至一个存储单元中的第一及第二位资料的第一及第二存储单元电流是否具有相近大小的信息，来判断此第一及第二位资料的编程状态。

请参照图2，其绘示依照本发明实施例的存储器的方块图。存储器1，例如是闪存(Flash Memory)，包括存储器阵列12、操作电路14及16。存储器阵列12包括多个存储单元，各存储单元储存两笔位资料。操作电路16例如是读取电路，用以读取储存于存储器阵列12中的资料。操作电路14例如是编程电路，用以对各存储单元中的两笔位资料进行编程。举例来说，各存储单元中储存的位资料可被编程为指示逻辑值0的高临界电压状态或可被编程为指示逻辑值1的低临界电压状态。