[发明专利]用于CVD反应器的进气装置无效
申请号: | 201010168749.9 | 申请日: | 2010-05-12 |
公开(公告)号: | CN101824607A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 邱凯;王国斌;张永红;王怀兵;朱建军;张宝顺;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215125 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种用于CVD反应器的进气装置,包括呈径向闭合的气体分配管及一体贯通的一路以上进气管,且该气体分配管朝向其所围裹的空间平面中心设有复数个气体喷射孔,且各喷射孔的开设角度相对于其向心角度朝基片偏移。通过调整气体喷射孔的分布密度、气体喷射孔的孔径大小及气体分配管的管径分布,使到达基片上的气体流速相同,并在样品表面形成均一的边界层,从而保证了薄膜生长的均匀性和一致性。 | ||
搜索关键词: | 用于 cvd 反应器 装置 | ||
【主权项】:
用于CVD反应器的进气装置,其特征在于:所述进气装置包括呈径向闭合的气体分配管及一体贯通的一路进气管,且所述气体分配管朝向其所围裹的空间平面中心设有复数个气体喷射孔,其中所述气体分配管的径向截面面积处处相等,所述开口均等的气体喷射孔在近进气管侧的周向分布密度小于远进气管侧的周向分布密度,且所述各喷射孔的开设角度相对于其向心角度朝基片偏移。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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