[发明专利]垂直集成电路开关及其制造方法有效
| 申请号： | 201010167452.0 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101866781A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | F·P·安德森;E·C·库尼三世;T·L·麦克德维特;A·K·斯塔珀 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;H01H49/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及垂直集成电路开关及其制造方法。本发明提供垂直集成MEMS开关、设计结构以及制造这种垂直开关的方法。所述制造MEMS开关的方法包括在晶片中形成至少两个垂直延伸的过孔并用金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔以形成至少两个垂直延伸的布线。所述方法还包括从底侧在所述晶片中开孔，以便所述垂直延伸的布线中的至少一个在所述孔内可移动。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 集成电路 开关 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造MEMS开关的方法，包括以下步骤：在晶片中形成至少两个垂直延伸的过孔；用金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔，以形成至少两个垂直延伸的布线；以及从底侧在所述晶片中开孔，以便所述垂直延伸的布线中的至少一个在所述孔内可移动。
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