[发明专利]垂直集成电路开关及其制造方法

权利要求书

1.一种制造MEMS开关的方法，包括以下步骤：

在晶片中形成至少两个垂直延伸的过孔；

用金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔，以形成至少两个垂直延伸的布线；以及

从底侧在所述晶片中开孔，以便所述垂直延伸的布线中的至少一个在所述孔内可移动。

2.根据权利要求1的方法，其中：

形成所述至少两个垂直延伸的过孔包括从所述晶片的顶侧蚀刻四个垂直延伸的过孔；并且

用所述金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔包括从所述晶片的所述顶侧填充所述四个垂直延伸的过孔，以形成四个垂直延伸的布线；并且

开孔包括从所述底侧蚀刻所述晶片，以便所述四个垂直延伸的布线中的两个内布线在所述孔内可移动以彼此接触。

3.根据权利要求2的方法，其中：

形成所述至少两个垂直延伸的过孔还包括从所述晶片的所述底侧蚀刻过孔；

用金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔还包括从所述底侧用金属填充所述底侧，以形成分别与所述四个垂直延伸的布线中的内布线接触的两个布线延伸部；并且

开孔包括从所述底侧蚀刻所述晶片，以便所述两个布线延伸部在所述孔内可移动以彼此接触。

4.根据权利要求1的方法，其中：

形成所述至少两个垂直延伸的过孔包括以下步骤：

从所述晶片的顶侧蚀刻四个垂直延伸的过孔，其中所述四个垂直延伸的过孔的内部比所述四个垂直延伸的过孔的外部浅；以及

使用双镶嵌工艺从所述底侧蚀刻两个过孔；

用所述金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔包括以下步骤：

从所述晶片的所述顶侧填充所述四个垂直延伸的过孔，以形成四个垂直延伸的布线；以及

从所述晶片的所述底侧填充所述两个过孔，以形成分别与所述四个垂直延伸的布线中的内布线接触的两个底侧布线；并且

开孔包括从所述底侧蚀刻所述晶片，以便所述两个底侧布线在所述孔内可移动以彼此接触。

5.根据权利要求1的方法，其中：

在晶片中形成至少两个垂直延伸的过孔包括以下步骤：

从所述晶片的顶侧蚀刻至少三个垂直延伸的过孔，其中所述至少三个垂直延伸的过孔的内部比所述至少三个垂直延伸的过孔的外部深；以及

从所述底侧在所述晶片中蚀刻至少两个垂直延伸的过孔；

用所述金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔包括以下步骤：

用金属从所述晶片的所述顶侧填充所述三个垂直延伸的过孔，以形成两个部分布线和中间较长布线；以及

用金属从所述底侧填充所述晶片中的所述垂直延伸的过孔以形成底侧布线，其中所述底侧布线与所述两个部分布线接触且在所述中间较长布线的侧面；并且

开孔包括从所述底侧蚀刻所述晶片，以便所述顶侧布线或所述底侧布线的中间布线在所述孔内可移动。

6.根据权利要求1的方法，其中：

在晶片中形成至少两个垂直延伸的过孔包括以下步骤：

从所述晶片的顶侧在所述晶片中蚀刻三个垂直延伸的过孔，其中所述三个垂直延伸的过孔中的中间过孔比所述三个垂直延伸的过孔中的外过孔深；以及

从所述晶片的所述底侧在所述晶片中蚀刻与所述三个垂直延伸的过孔中的所述中间过孔偏移的一个过孔；

用金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔包括用所述金属填充所述三个垂直延伸的过孔和所述底侧过孔，以形成布线；并且

开孔包括从所述底侧蚀刻所述晶片，以便所述三个垂直延伸的布线中的中间布线在所述孔内可自由移动，以与从所述晶片的所述底侧形成的所述布线形成接触。

7.根据权利要求1的方法，其中：

在晶片中形成至少两个垂直延伸的过孔包括以下步骤：

从所述晶片的顶侧在所述晶片中形成两个垂直延伸的过孔；以及

从所述晶片的所述底侧在所述晶片中形成一个过孔；

用金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔包括用所述金属填充所述两个垂直延伸的过孔和所述底侧过孔，以形成布线；并且

开孔包括从所述底侧蚀刻所述晶片，以便所述两个垂直延伸的布线中的一个在所述孔内可自由移动并与从所述晶片的所述底侧形成的所述布线形成接触。