[发明专利]一种低温热压键合方法有效
| 申请号： | 201010165253.6 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101853795A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 陈明祥;蔡明先;彭聪;刘胜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低温热压键合方法。首先在衬底上制作一层合金薄膜，然后通过选择性腐蚀工艺去除合金中的部分组分，使合金薄膜变成一层多孔纳米结构。利用该多孔纳米结构作为键合层，由于纳米尺度效应，可以在较低的温度和压力下实现热压键合。本发明工艺简单，操作方便，特别是较低的温度和压力显著降低了键合过程中的热应力与热变形，在光电集成、三维封装、系统封装等领域具有广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 热压 方法 | ||
【主权项】：
一种低温热压键合方法，首先在衬底上制作一层合金薄膜，然后通过选择性腐蚀工艺腐蚀掉该合金薄膜中的部分组分，使上述合金薄膜变成一层多孔纳米结构，利用该多孔纳米结构作为键合层，实施热压键合。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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