[发明专利]用于溅射和再溅射的自离子化及电感耦合等离子体

摘要

公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。

主权项

一种在孔中形成互连的方法，所述孔具有至少3∶1的纵横比并在衬底的电介质层中形成，该方法包括：在真空室中，利用设置在靶一侧上的磁控管，溅射所述靶，所述真空室具有环绕中央轴布置的侧壁；将离子向由底座支撑的衬底投射，所述底座与沿所述中央轴的所述靶相对，其中所述靶与所述底座通过大于所述衬底直径的50％的投掷距离间隔开，所述投射利用至少部分设置在所述处理空间的周围的具有沿所述中央轴的第一磁极性的辅助磁体。