[发明专利]一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法有效
| 申请号： | 201010162263.4 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102237288A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 彭铭曾;郑英奎;刘果果;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，该方法包括：在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压；电容-电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描，获得Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；对氮化镓基场效应晶体管器件采用表面钝化处理，然后再次测量器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；比较表面钝化处理前后器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线，当Vgs或Vgd低于器件阈值电压为沟道关态电容，当Vgs或Vgd高于器件阈值电压为沟道开态电容，从沟道关态电容和沟道开态电容的相对变化量来衡量表面钝化处理的效果好坏。利用本发明，解决了器件表面态导致器件产生严重的电流崩塌以及器件漏电大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 氮化 场效应 晶体管 表面 钝化 效果 方法 | ||
【主权项】：
一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，其特征在于，该方法采用电容‑电压测量仪，具体包括：步骤10：在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压；步骤20：电容‑电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描，获得Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；步骤30：对氮化镓基场效应晶体管器件采用表面钝化处理，然后再次测量器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；步骤40：比较表面钝化处理前后器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线，当Vgs或Vgd低于器件阈值电压为沟道关态电容，当Vgs或Vgd高于器件阈值电压为沟道开态电容，从沟道关态电容和沟道开态电容的相对变化量来衡量表面钝化处理的效果好坏。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010162263.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氧化物薄膜晶体管及其制造方法
- 下一篇：玻璃基芯片型液晶显示器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
