[发明专利]与MMIC工艺结合的50欧姆TaN薄膜电阻的制作方法无效
| 申请号： | 201010162229.7 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102237165A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;蒲颜;庞磊;陈晓娟;武伟超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01C17/12 | 分类号： | H01C17/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种与MMIC工艺结合的50欧姆TaN薄膜电阻的制作方法，该方法包括：步骤10：在SiC衬底上等离子体增强化学汽相沉积PECVD厚度为的Si3N4隔离介质；步骤20：在Si3N4隔离介质上旋涂光刻胶，并通过光刻、显影形成TaN薄膜电阻图案；步骤30：在预溅射和正式溅射时采用一定比例的气体Ar和N2，同时溅射Ta金属，得到TaN薄膜电阻；步骤40：将光刻胶上的TaN薄膜电阻进行剥离，得到所需要图形上的TaN薄膜电阻。本发明制作的TaN薄膜电阻具有很好的物理和化学稳定性，温度系数小，可靠性高，并且与MMIC工艺具有很好的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | mmic 工艺 结合 50 欧姆 tan 薄膜 电阻 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种与MMIC工艺结合的50欧姆TaN薄膜电阻的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤10：在SiC衬底上等离子体增强化学汽相沉积PECVD厚度为![]()
的Si3N4隔离介质；步骤20：在Si3N4隔离介质上旋涂光刻胶，并通过光刻、显影形成TaN薄膜电阻图案；步骤30：在预溅射和正式溅射时采用一定比例的气体Ar和N2，同时溅射Ta金属，得到TaN薄膜电阻；步骤40：将光刻胶上的TaN薄膜电阻进行剥离，得到所需要图形上的TaN薄膜电阻。
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