[发明专利]具有杂芳环的衍生物、使用其的发光元件、发光装置、照明装置以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201010158592.1 申请日: 2010-03-30
公开(公告)号: CN101899037B 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 野村洸子;门间裕史;川上祥子;大泽信晴;濑尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C07D403/10 分类号: C07D403/10;C07D249/08;C07D231/12;C09K11/06;F21K2/08;H01L51/54;H05B33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 项丹
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及具有杂芳环的衍生物、使用具有杂芳环的衍生物的发光元件、发光装置、照明装置以及电子设备。本发明的目的之一在于提供一种新的具有杂芳环的双极性衍生物作为激发能大的物质。提供一种由通式(G1)表示的具有杂芳环的衍生物。在通式中,R11至R20分别表示氢、碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。另外J表示取代或未取代的形成环的碳数为6至12的亚芳基。另外,α,β还可以互相结合形成咔唑骨架。另外Het表示通式(S1‑1)及通式(S1‑2)表示的取代基。在通式(S1‑1)及通式(S1‑2)中,Ar1至Ar4分别表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基。R1表示氢原子、碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。
搜索关键词: 具有 杂芳环 衍生物 使用 发光 元件 装置 照明 以及 电子设备
【主权项】:
一种由以下通式(G2)表示的具有杂芳环的衍生物,其中R11至R20分别是氢原子、或碳数为1至4的烷基,J表示未取代的形成环的碳数为6至12的亚芳基,α和β互相结合形成咔唑骨架,并且Het是由下面的或通式(S2‑1)表示的取代基,在通式(S2‑1)中,R21至R30分别是氢原子或碳数为1至4的烷基。
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