[发明专利]一种石墨烯与非晶碳复合薄膜的制备方法无效
申请号: | 201010155540.9 | 申请日: | 2010-04-21 |
公开(公告)号: | CN101831633A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 李虓;朱宏伟;韦进全;王昆林;李春艳;李昕明;李祯;吴德海 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/56;C23C16/52 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐宁;关畅 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种石墨烯与非晶碳复合薄膜的制备方法,其包括以下步骤:1)化学沉积法:设置一无氧反应器;在无氧反应器内放入铜衬底,并进行加热;当铜衬底达到一定温度后,向所述无氧反应器内通入一定量吡啶;反应适当时间后,对铜衬底进行急冷,得到含有石墨烯与非晶碳复合薄膜的三层结构;2)分离纯化法:将得到的三层结构产物放入去离子水中,清除上层非晶碳层;将剩余的中间层和下层产物放入含铁离子的溶液中,对下层铜衬底进行刻蚀,得到中间层石墨烯与非晶碳复合薄膜。本发明构思巧妙,简单易操作,可广泛用于石墨烯与非晶碳复合薄膜的大规模可控生产过程中。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 非晶碳 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯与非晶碳复合薄膜的制备方法,其包括以下步骤:1)化学气相沉积法:设置一无氧反应器;在无氧反应器内放入铜衬底,并进行加热;当铜衬底达到一定温度后,向无氧反应器内通入一定量吡啶;反应适当时间后,对铜衬底进行急冷,得到含有石墨烯与非晶碳复合薄膜的三层结构产物;2)分离纯化法:将采用化学积法得到的三层结构产物放入去离子水中,清除上层非晶碳层;将剩余的中间层和下层产物放入含铁离子的溶液中,对下层铜衬底进行刻蚀,得到中间层石墨烯与非晶碳复合薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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