[发明专利]电阻变化型存储器装置及其操作方法

摘要

本发明提供了一种电阻变化型存储器装置及其操作方法，电阻变化型存储器装置包括：存储器单元，所述存储器单元各自具有其中存储元件和存取晶体管串联连接的电流路径，其中所述存储元件的电阻根据所施加的电压而变化；第一配线，所述第一配线各自连接到所述电流路径的一端；第二配线，所述第二配线各自连接到所述电流路径的另一端；阱，所述阱是其中形成所述存取晶体管的半导体区域；以及驱动电路。

主权项

一种电阻变化型存储器装置，包括：存储器单元，所述存储器单元各自具有其中存储元件和存取晶体管串联连接的电流路径，其中所述存储元件的电阻根据所施加的电压而变化；第一配线，所述第一配线各自连接到所述电流路径的一端；第二配线，所述第二配线各自连接到所述电流路径的另一端；阱，所述阱是其中形成所述存取晶体管的半导体区域；以及驱动电路，所述驱动电路适合于在将数据写入所述存储器单元的操作和将数据从所述存储器单元擦除的操作中的一者的过程中，通过在所述第一配线与所述第二配线之间施加电压，将电流经由所述存取晶体管提供给所述存储元件，所述操作中的一者被称作第一操作，所述驱动电路也适合于在所述数据写入操作和所述数据擦除操作中的另一者的过程中，通过在所述第一配线或所述第二配线与所述阱之间施加与所述第一操作的极性相反的电压，将电流沿着与所述第一操作的电流方向相反的方向提供给所述存储元件，所述操作中的另一者被称作第二操作。