[发明专利]发光二极管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010144359.8 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102201511A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 余国辉;卢宗宏;朱长信 | 申请（专利权）人： | 佛山市奇明光电有限公司;奇力光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 528237 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管结构及其制造方法。此发光二极管结构包含p型电极、接合基板、p型半导体层、发光层、n型半导体层、外延成长基板及n型电极。接合基板设于p型电极上。p型半导体层设于接合基板上。发光层设于p型半导体层上。n型半导体层设于发光层上。外延成长基板设于n型半导体层上，其中外延成长基板包含一开口贯穿外延成长基板。n型电极设于开口中，且与n型半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，包含：p型电极；接合基板，设于该p型电极上；p型半导体层，设于该接合基板上；发光层，设于该p型半导体层上；n型半导体层，设于该发光层上；外延成长基板，设于该n型半导体层上，其中该外延成长基板包含一开口贯穿该外延成长基板；以及n型电极，设于该开口中，且与该n型半导体层电连接。
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